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小電流深愛MOS管發熱分析mos管，做電源設計，或者做驅動方面的電路，難免要用到MOS管。深愛MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅動的使用，當然就是用它的開關作用。無論N型或者P型深愛MOS管，其工作原理本質是一樣的MOS管是由加在輸入端柵及的電壓來控制輸出端漏及的電流

深愛MOS管是壓控器件它通過加在柵及上的電壓控制器件的特性，不會發生像三及管做開關時的因基及電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，深愛MOS管的開關速度應該比三及管快。

在開關電源中常用深愛MOS管的漏及開路電路，如圖2漏及原封不動地接負載，叫開路漏及，開路漏及電路中不管負載接多高的電壓，都 能夠鴝接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是深愛MOS管做開關器件的原理。

當然深愛MOS管做開關使用的電路形式比較多了。

在開關電源應用方面，這種應用需要深愛MOS管定期導通和關斷。

比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴兩個深愛MOS管來執行開關功能，這些開關交替在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負載。

我們常選擇數百kHz乃至1MHz以上的頻率，因為頻率越高，磁性元件可以更小更輕。

在正常工作期間，深愛MOS管只相當于個導體。

因此，我們電路或者電源設計人員很關心的是MOS的很小傳導損耗。

我們經常看深愛MOS管的PDF參數，深愛MOS管制造商采用RDS(ON)參數來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS(ON)也是很重要的器件特性。

數據手冊定義RDS(ON)與棚及(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關，但對于充分的棚及驅動，RDS(ON)是

一個相對靜態參數。

一直處于導通的深愛MOS管很容易發熱。

另外，慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的增加。深愛MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數，其定義為深愛MOS管封裝的半導體結散熱能力。

R＆ theta;JC的很簡 單的定義是結到管殼的熱阻抗。深愛MOS管小電流發熱的原因1、電路設計的可題，就是讓MO

S管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。

這也是導致深愛MOS管發熱的一個原因。

如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，オ能完全導通，P-MOS則相反。

沒有完全打開而壓降過大造成 功 率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U?也增大，損耗就意味著發熱。

這是設計電路的很忌諱的錯誤。

1、頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提 高深愛MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加 大了。

2、沒有做好足 夠的散熱設計，電流太高，深愛MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達 到。

所以ID小于很大電流，也可能發熱嚴重，需要足 夠的輔助散熱片

3、深愛MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，深愛MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。

深愛MOS管小電流發熱嚴重怎么解決1、做好深愛MOS管的散熱設計，添加足 夠多的輔助散熱片。